铠侠与南亚科技近日宣布，他们将在即将于美国加州旧金山举行的2024 ieee iedm国际电子器件大会上，展示一项关于新型内存的联合研究成果。这一成果名为octram，是一种创新的极低漏电流内存。
据悉，octram是全球首款4f2 gaa氧化物半导体通道晶体管dram，它采用了igzo垂直通道晶体管，实现了内存能耗的大幅降低。两家公司合作制造的275mbit容量octram阵列，在设计的电压范围内运行稳定。
octram的制造流程经过优化，旨在强化芯片整合架构的发展。这一创新技术有望应用于ai、后5g移动通信系统以及物联网等领域，以满足设备对节能与性能的双重需求。
这一研究成果的发布，标志着铠侠与南亚科技在内存技术领域的又一重大突破。
